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分光干涉式晶片厚度计的作用
特性
采用近红外 SLD,即使已贴附 BG 带也可测量晶片本身的厚度。即使晶片表面存在由于图案而产生的显著差异,也可实现准确的线上测量。
即使已贴附背面研磨带也可测量晶片厚度
将图案的影响降到小
可上进行测量
自动映射整个晶片的厚度分布
的只测量晶片厚度
SI-F80R 系列使用近红外 SLD,可穿过硅、砷化镓、碳化硅、磷化铟、非晶硅及其它半导体。
几乎不受晶片图案的影响
通过减小光点直径和光点内的表面相差,可限度的减少晶片表面图案的变化和测量警报的发生次数。
之前的所有问题迎刃而解
可解决传统晶片测量方法所存在的问题的测量装置。
测量原理
以简单易懂的方式解释达到超高精度的测量原理。
即使已贴附背面研磨带也可测量晶片厚度
将图案的影响降到小
可上进行测量
自动映射整个晶片的厚度分布
的只测量晶片厚度
的只测量晶片厚度
SI-F80R 系列使用近红外 SLD,可穿过硅、砷化镓、碳化硅、磷化铟、非晶硅及其它半导体。
几乎不受晶片图案的影响
通过减小光点直径和光点内的表面相差,可限度的减少晶片表面图案的变化和测量警报的发生次数。
之前的所有问题迎刃而解
可解决传统晶片测量方法所存在的问题的测量装置。
分光干涉式晶片厚度计的作用