位移传感器外径/内径资料

简要描述：位移传感器外径/内径资料
型号
SI-F01
SI-F10
SI-F80
类型
微型传感头型传感头
长距离型传感头
厚度测量型传感头
测量范围
0.05 至 1.1 mm *1
11.3 至 12.35 mm *1
0.05 至 1.1 mm *6
（可实现的检测距离: 80 至 81.1 mm）
测量用光源
红外 SLD 波长 820 nm 输出 0.6 mW, 1

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厂商性质：经销商
更新时间：2023-05-29
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位移传感器外径/内径资料

外径 / 内径

这些传感器测量圆柱体的外径。虽然此处用以参考的测量为单轴，但可进行双轴或更多轴的测量。
测量内径有两种方法：光透式测量仪器和接触式测量仪器。

1D光透法
LS系列

LS系列

此方法测量目标物的外径。超高速采样使其还可以测量外径和偏转。

选择要点

测量稳定且具有超高精度
快速、非接触式测量
可测量透明目标物

LS-9000系列

超高速/高精度测微计
LS-9000系列

2D光透法
TM系列

TM系列

本系列可测量目标物的内径。
由于像投影机一样采集物体图像，因此可实现多轴测量和真圆度测量。

选择要点

可同时进行多点测量
可稳定检测

TM-3000系列

位移传感器外径/内径资料

型号		SI-F1003V	SI-FA103
独立型		SI-F1003/SI-FD500
类型		主控制器一体型	扩展控制器^*3
可连接的光谱单元数		2	1
显示	zui小显示单位	0.001 µm	无
	显示范围	±999.999 µm 至 ±9,999.99 mm，(可选 7 种设定)
	显示周期	10 次／秒
端子台	激光远程联锁输入	无电压输入^*1	无^*1
	定时 1 输入	无电压输入 2^*1
	复位 1 输入	无电压输入^*1
	自动调零1 输入
	激光控制输入
	模拟电压输出	±10 V x 2 输入，输出阻抗: 100 Ω^*1	±10 V x 1 输入，输出阻抗: 100 Ω^*1
	模拟电流输出	4 至 20 mA x 2 输出，zui大负载阻抗: 350 Ω^*1	4 至 20 mA x 1 输出，zui大负载阻抗: 350 Ω^*1
	警报输出	NPN 开集输出(N.C.)^*1	无^*1

分光干涉式晶片厚度计SI-F80R 系列采用近红外 SLD，即使已贴附 BG 带也可测量晶片本身的厚度。即使晶片表面存在由于图案而产生的显著差异，也可实现准确的线上测量。
分光干涉式晶片厚度计SI-F80R 系列采用近红外 SLD，即使已贴附 BG 带也可测量晶片本身的厚度。即使晶片表面存在由于图案而产生的显著差异，也可实现准确的线上测量。

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